然而，第三代半導體屬於後摩爾定律概念，對製程和裝置要求相對不高，能夠避免前兩代半導體發展過程中出現的發達國家透過限制光刻機、幹法刻蝕機出口而產生的“卡脖子”局面。國內產業界和專家普遍認為在第三代半導體領域是我國擺脫積體電路被動局面，實現晶片技術趕超和超車的良機。從區域上來看，目前，國內多個省市出臺政策支援第三代半導體產業發展，在京津冀、長三角、珠三角、成渝等區域已經形成了較為成熟的產業叢集。中國半導體行業協會評選的*年全國第三代半導體最具競爭力*大產業園區，長三角地區*家，分別為蘇州工業園、上海臨港新片區、無錫國家積體電路設計中心；泛珠三角地區*家，分別為深圳寶安區第三代半導體IDM產業園、廈門高新區；成渝地區*家，分別為重慶西永微電子產業園、成都高新區；京津冀地區*家，分別為北京順義區、河北鹿泉經濟開發區；中西部地區*家，即西安高新區。從龍頭企業來看。目前，國內第三代半導體主要製造商共*家，主要分佈在江蘇、廣東、北京。碳化矽產業鏈相關公司共*家，其中上市公司*家，全產業鏈企業（生產裝置、襯底、外延、器件）有三安整合、中電科*所、中電科*所等。氮化鎵產業鏈相關公司有*家，其中上市公司*家，全產業鏈公司僅有英諾賽科*家。從重大專案投資來看。近年來，國內龍頭企業發展態勢迅猛，在下游器件環節多個細分領域取得關鍵技術突破，已經具備了與國際龍頭企業競爭的技術實力。比如，英諾賽科建成中國首條*英寸矽基氮化鎵外延與晶片大規模量產生產線，截至目前已經實現超過*億顆氮化鎵晶片的出貨量，有望在今年實現全球出貨量第一；山東天嶽在半導體絕緣型碳化矽襯底市場出貨量國內第一、全球第三。二、第三代半導體產業的發展趨勢基於第三代半導體產業特點，結合調研情況，對第三代半導體產業未來發展趨勢形成了*點判斷：（一）第三代半導體產業發展呈現出明顯的應用牽引的特點，國內市場將會在相當長一段時間內保持較高增速。主要原因有三個方面：一是第三代半導體產品在消費類電子產品、新能源汽車、5G行動通訊、高效智慧電網等領域展示出廣闊的、不可替代的應用前景，預計將形成近十萬億規模的應用市場。二是上游襯底產能持續釋放且量產技術趨於穩定，器件的產線規格尺寸更大，推動成本大幅下降。三是目前半絕緣襯底、大尺寸碳化矽襯底、氮化鎵同質襯底、5G通訊基站用氮化鎵射頻器件、大功率碳化矽小主，這個章節後面還有哦，請點選下一頁繼續閱讀，後面更精彩！